买卖IC网 >> 产品目录 >> SIA929DJ-T1-GE3 MOSFET -30V 64mOhm@10V 4.5A P-Ch G-III datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIA929DJ-T1-GE3

库存数量：7131
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET -30V 64mOhm@10V 4.5A P-Ch G-III
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET -30V 64mOhm@10V 4.5A P-Ch G-III
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 P-Channel
汲极/源极击穿电压 - 30 V
闸/源击穿电压 12 V
漏极连续电流 4.5 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 64 mOhms at 10 V
配置 Dual
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK SC-70-6 Dual
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SIA929DJ-T1-GE3
SIA931DJ-T1-GE3
SIA936EDJ-T1-GE3
SIA950DJ-T1-GE3
SIA975DJ-T1-GE3
SIAERO+-EVB
供应商
公司名
电话
深圳市科翼源电子有限公司 13510998172 朱小姐
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深圳廊盛科技有限公司 18229386512 李小姐
深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
深圳市科思奇电子科技有限公司 0755-83245050 林小姐/欧阳先生
深圳市新良宇电子有限公司 0755-83237632 李先生
深圳市翔微电子科技有限公司 0755-23901885 陈铁军
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 - Allen
  • SIA929DJ-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.662 0.662
    10 0.634 6.34
    100 0.47 47
    250 0.4 100
    3,000 0.332 996
    6,000 0 0